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MOSFET
产品类型： MOSFET
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型号功能描述栅极阈值电压漏源击穿电压漏源导通电阻温度范围封装形式规格书
CYT06N021 先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS和低栅极电荷 1.11V~2.5V 最小60.1V 11~20mΩ -40℃~175℃ TO252 暂无文件
CYT06N021I 先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS和低栅极电荷 1.11V~2.5V 最小60.1V 11~20mΩ -40℃~175℃ TO252 暂无文件
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